2Т505В
Биполярные транзисторы
Характеристики
| Обозначение | 2Т505В |
| Структура | PNP |
| Корпус | КТ-2 (TO-39) |
| Монтаж | THT |
| Примечание | Планарный p-n-p транзистор |
|
Состояние производства Статус |
Сер/произв-во |
| Наименование ТУ | аА0.339.174 Д1 |
| Назначение | ВП |
|
Диапазон температур эксплуатации
Тэкспл, ⁰С |
-60 |
|
Тэкспл max, ⁰С |
125 |
|
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
Рmax, Вт |
1 |
|
Условия_Pmax |
с теплоотводом |
|
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база Uкб max, B |
450 |
|
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер Uкэ max, B |
400 |
|
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база Uэб max, B |
5 |
|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ нас, В |
1 |
|
при @Iк, А |
0.1 |
|
при @Iб, А |
0.01 |
|
Максимально допустимый постоянный ток коллектора Iк max, A |
0.02 |
|
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр, МГц |
20 |
|
Статический коэффициент передачи тока
h21э |
15 |
Документы
2Т505 аА0.339.174 Д1
Размер:
742.6 Кб