2Т693АС
Биполярные транзисторы
Характеристики
Обозначение | 2Т693АС |
Структура | NPN |
Корпус | 401.14-5М |
Монтаж | - |
Примечание | Транзисторная матрица из 4х n-p-n транзисторов |
Состояние производства Статус |
Сер/произв-во |
Наименование ТУ | АЕЯР.432140.064ТУ |
Назначение | ВП |
Диапазон температур эксплуатации
Тэкспл, ⁰С |
-60 |
Тэкспл max, ⁰С |
125 |
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
Рmax, Вт |
0.75 |
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база Uкб max, B |
150 |
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер Uкэ max, B |
150 |
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база Uэб max, B |
5 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ нас, В |
0.6 |
при @Iк, А |
0.15 |
при @Iб, А |
0.015 |
Максимально допустимый постоянный ток коллектора Iк max, A |
0.15 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр, МГц |
170 |
Статический коэффициент передачи тока
h21э |
40 |
Документы
2Т693АС АЕЯР.432140.064 ТУ
Размер:
865.4 Кб