Биполярные транзисторы

Характеристики

Обозначение 2Т693АС
Структура NPN
Корпус 401.14-5М
Монтаж -
Примечание Транзисторная матрица из 4х n-p-n транзисторов
Состояние производства

Статус
Сер/произв-во
Наименование ТУ АЕЯР.432140.064ТУ
Назначение ВП
Диапазон температур эксплуатации
Тэкспл, ⁰С
-60
Тэкспл max, ⁰С
125
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
Рmax, Вт
0.75
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
Uкб max, B
150
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер
Uкэ max, B
150
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
Uэб max, B
5
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Uкэ нас, В
0.6
при @Iк, А
0.15
при @Iб, А
0.015
Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iк max, A
0.15
Граничная частота коэффициента передачи тока
fгр, МГц
170
Статический коэффициент передачи тока

h21э
40

Документы

2Т693АС АЕЯР.432140.064 ТУ Размер: 865.4 Кб
Техподдержка и заказ образцов (ОТК): bc@kremny-m.ru