Биполярные транзисторы

Характеристики

Обозначение 2Т709Б2
Структура PNP
Корпус КТ-28-2 (TO-220)
Монтаж THT
Примечание Меза-планарный составной p-n-p транзистор
Состояние производства

Статус
Сер/произв-во
Наименование ТУ аА0.339.628ТУ
Назначение ВП
Диапазон температур эксплуатации
Тэкспл, ⁰С
-60
Тэкспл max, ⁰С
125
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
Рmax, Вт
30
Условия_Pmax
с теплоотводом
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
Uкб max, B
80
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер
Uкэ max, B
80
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
Uэб max, B
5
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Uкэ нас, В
2
при @Iк, А
5
при @Iб, А
0.02
Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iк max, A
10
Статический коэффициент передачи тока

h21э
750

Документы

2Т709_2, 2Т716_1 аА0.339.628 ТУ Размер: 2.3 Мб
Техподдержка и заказ образцов (ОТК): bc@kremny-m.ru