Биполярные транзисторы

Показано из строк
ВОССТАНОВИТЬ ТАБЛИЦУ
Обозначение
СРАВНИТЬ
Структура
ЗНАЧЕНИЯ
СКРЫТЬ
Uкэ max, B
СКРЫТЬ
Iк max, A
СКРЫТЬ
h21э
СКРЫТЬ
Uкэ нас, В
СКРЫТЬ
fгр, МГц
СКРЫТЬ
Тэкспл, ⁰С
СКРЫТЬ
Рmax, Вт
СКРЫТЬ
Корпус
ЗНАЧЕНИЯ
СКРЫТЬ
Монтаж
ЗНАЧЕНИЯ
СКРЫТЬ
Аналог
СКРЫТЬ
Компл. пара
СКРЫТЬ
Примечание
СКРЫТЬ
Статус
ЗНАЧЕНИЯ
СКРЫТЬ
2Т830Г
PNP
90
2
20
0.6
4
-60
125
5
КТ-2 (TO-39)
THT
2N5781
2Т831
Планарный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т830Д
PNP
70
2
25
0.6
4
-60
125
5
КТ-2 (TO-39)
THT
2N5781
Планарный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т8310А9
NPN
400
0.5
40
-
0.5
20
-60
125
25
КТ-99-1 (4601)
SMD
FZT658
Эпитаксиально-планарный транзистор
Сер/произв-во
2Т8310А91
NPN
400
0.5
40
-
0.5
20
-60
125
25
КТ-89 (TO-252)
SMD
FZT658
Эпитаксиально-планарный транзистор
Сер/произв-во
2Т831А
NPN
30
2
25
0.6
4
-60
125
5
КТ-2 (TO-39)
THT
2N4300
2Т830
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т831Б
NPN
50
2
25
0.6
4
-60
125
5
КТ-2 (TO-39)
THT
2N4300
2Т830
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т831В
NPN
70
2
25
0.6
4
-60
125
5
КТ-2 (TO-39)
THT
2N4300
2Т830
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т831Г
NPN
90
2
20
0.6
4
-60
125
5
КТ-2 (TO-39)
THT
2N4300
2Т830
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т836А
PNP
90
3
20
0.6
4
-60
125
5
КТ-3 (TO-39)
THT
2N3204
Планарный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т836Б
PNP
85
3
20
0.35
4
-60
125
5
КТ-3 (TO-39)
THT
2N3204
Планарный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т836В
PNP
60
3
20
0.45
4
-60
125
5
КТ-3 (TO-39)
THT
2N3204
Планарный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т836Г
PNP
200
3
40
0.5
4
-60
125
5
КТ-3 (TO-39)
THT
2N3204
Планарный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т841А
NPN
600
10
12
1.5
25
-60
125
50
КТ-9 (ТО-3)
THT
2SC2122
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т841А1
NPN
600
10
10
1.5
10
-60
125
30
КТ-28-2 (TO-220)
THT
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т841А9
NPN
600
10
12
1
25
-60
125
30
КТ-94-3 (SMD1)
SMD
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т841Б
NPN
400
10
12
1.5
25
-60
125
50
КТ-9 (ТО-3)
THT
2SC2122
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т841Б1
NPN
400
10
10
1.5
10
-60
125
30
КТ-28-2 (TO-220)
THT
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т841Б9
NPN
400
10
12
1
25
-60
125
30
КТ-94-3 (SMD1)
SMD
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т841В
NPN
800
10
10
1.5
25
-60
125
50
КТ-9 (ТО-3)
THT
2SC2122
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т841В9
NPN
800
10
10
1
25
-60
125
30
КТ-94-3 (SMD1)
SMD
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т842А
PNP
300
5
15
1.8
20
-60
125
50
КТ-9 (ТО-3)
THT
2SB506A
Планарный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т842А1
PNP
300
5
10
1.8
10
-60
100
30
КТ-28-2 (TO-220)
THT
Эпитаксиально-планарный мощный высоковольтный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т842Б
PNP
200
5
15
1.8
20
-60
125
50
КТ-9 (ТО-3)
THT
2SB506A
Планарный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т842Б1
PNP
200
5
10
1.8
10
-60
100
30
КТ-28-2 (TO-220)
THT
Эпитаксиально-планарный мощный высоковольтный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т875А
NPN
90
10
80
250
0.5
20
-60
125
50
КТ-9 (ТО-3)
THT
2N5626
2Т876
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т875Б
NPN
70
10
80
250
0.5
20
-60
125
50
КТ-9 (ТО-3)
THT
2N5626
2Т876
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т875В
NPN
50
10
80
250
0.5
20
-60
125
50
КТ-9 (ТО-3)
THT
2N5626
2Т876
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т875Г
NPN
90
10
40
100
0.5
20
-60
125
50
КТ-9 (ТО-3)
THT
2N5626
2Т876
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т876А
PNP
90
10
80
250
0.5
20
-60
125
50
КТ-9 (ТО-3)
THT
MJE2955
2Т875
Планарный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т876Б
PNP
70
10
80
250
0.5
20
-60
125
50
КТ-9 (ТО-3)
THT
MJE2955
2Т875
Планарный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т876В
PNP
50
10
80
250
0.5
20
-60
125
50
КТ-9 (ТО-3)
THT
MJE2955
2Т875
Планарный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т876Г
PNP
90
10
40
160
0.5
20
-60
125
50
КТ-9 (ТО-3)
THT
MJE2955
2Т875
Планарный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т877А
PNP
80
20
750
10000
2
-60
125
50
КТ-9 (ТО-3)
THT
2N6286
Планарный составной p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т877Б
PNP
60
20
2500
18000
2
-60
125
50
КТ-9 (ТО-3)
THT
2N6286
Планарный составной p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т877В
PNP
40
20
2500
18000
2
-60
125
50
КТ-9 (ТО-3)
THT
2N6286
Планарный составной p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т880А
PNP
100
2
80
250
0.35
300
-60
125
10
КТ-2 (TO-39)
THT
2N6730
2Т881
Планарный p-n-p усилительный транзистор
Сер/произв-во
2Т880Б
PNP
80
2
80
250
0.35
300
-60
125
10
КТ-2 (TO-39)
THT
2N6730
2Т881
Планарный p-n-p усилительный транзистор
Сер/произв-во
2Т880В
PNP
50
2
80
250
0.35
300
-60
125
10
КТ-2 (TO-39)
THT
2N6730
2Т881
Планарный p-n-p усилительный транзистор
Сер/произв-во
2Т880Г
PNP
100
2
40
160
0.35
300
-60
125
10
КТ-2 (TO-39)
THT
2N6730
2Т881
Планарный p-n-p усилительный транзистор
Сер/произв-во
2Т880Д
PNP
80
2
160
350
0.35
300
-60
125
10
КТ-2 (TO-39)
THT
2N6730
2Т881
Планарный p-n-p усилительный транзистор
Сер/произв-во
2Т881А
NPN
100
2
80
250
0.35
300
-60
125
10
КТ-2 (TO-39)
THT
2N5150
2Т880
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т881Б
NPN
80
2
80
250
0.35
300
-60
125
10
КТ-2 (TO-39)
THT
2N5150
2Т880
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т881В
NPN
50
2
80
250
0.35
300
-60
125
10
КТ-2 (TO-39)
THT
2N5150
2Т880
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т881Г
NPN
100
2
40
160
0.35
300
-60
125
10
КТ-2 (TO-39)
THT
2N5150
2Т880
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т881Д
NPN
80
2
160
350
0.35
300
-60
125
10
КТ-2 (TO-39)
THT
2N5150
2Т880
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т888А
PNP
900
0.1
30
120
1
15
-60
125
7
КТ-2 (TO-39)
THT
Эпитаксиально-планарный мощный высоковольтный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т888Б
PNP
600
0.1
30
120
1
15
-60
125
7
КТ-2 (TO-39)
THT
Эпитаксиально-планарный мощный высоковольтный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т888В
PNP
900
0.1
75
135
1
15
-60
125
7
КТ-2 (TO-39)
THT
Эпитаксиально-планарный мощный высоковольтный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т9117А
NPN
100
1
80
250
0.3
300
-60
125
5
КТ-2 (TO-39)
THT
2N6553
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т9117Б
NPN
80
1
80
250
0.3
300
-60
125
5
КТ-2 (TO-39)
THT
2N6553
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
50
542
Техподдержка и заказ образцов (ОТК): bc@kremny-m.ru