Биполярные транзисторы
Показано из строк
ВОССТАНОВИТЬ ТАБЛИЦУ
2Т9144А91
PNP
500
0.05
30
0.6
20
-60
125
1.3
4601.3-1
SMD
2Т9145А
Планарный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т9145А91
NPN
500
0.05
30
1
20
-60
125
1.3
4601.3-1
SMD
2Т9144А
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2ТД101А9
NPN
100
8
1000
12000
3
-60
125
20
КТ-93-1 (SMD05)
SMD
MJD122 (D)
2ТД102А9
Эпитаксиально-планарный составной транзистор Дарлингтона
Сер/произв-во
2ТД101А91
NPN
100
8
1000
12000
3
-60
125
20
КТ-89 (TO-252)
SMD
MJD122 (D)
2ТД102А91
Эпитаксиально-планарный составной транзистор Дарлингтона
Сер/произв-во
2ТД102А9
PNP
100
8
1000
12000
3
-60
125
20
КТ-93-1 (SMD05)
SMD
MJD127 (D)
2ТД101А9
Эпитаксиально-планарный составной транзистор Дарлингтона
Сер/произв-во
2ТД102А91
PNP
100
8
1000
12000
3
-60
125
20
КТ-89 (TO-252)
SMD
MJD127 (D)
2ТД101А91
Эпитаксиально-планарный составной транзистор Дарлингтона
Сер/произв-во
2ТД103А
NPN
100
5
1000
10000
2
-60
125
40
КТ-28А-2.02 (TO-220)
THT
TIP122 (D)
Эпитаксиально-планарный составной транзистор Дарлингтона
Сер/произв-во
2ТД103А1
NPN
100
5
1000
10000
2
-60
125
65
КТ-28-2 (TO-220)
THT
TIP122 (D)
Эпитаксиально-планарный составной транзистор Дарлингтона
Сер/произв-во
2ТД104А1
NPN
60
2
1000
12000
2.5
-60
125
50
КТ-28-2 (TO-220)
THT
TIP122 (D)
Эпитаксиально-планарный составной транзистор Дарлингтона
Сер/произв-во
2ТД104А
NPN
60
2
1000
12000
2.5
-60
125
40
КТ-28А-2.02 (TO-220)
THT
TIP110 (D)
Эпитаксиально-планарный составной транзистор Дарлингтона
Сер/произв-во
2ТД105А9
NPN
60
0.5
2000
12000
0.95
25
-60
125
0.75
КТ-99-1 (4601)
SMD
BCV47 (D)
Эпитаксиально-планарный составной транзистор Дарлингтона
Сер/произв-во
12
542