Биполярные транзисторы

Показано из строк
ВОССТАНОВИТЬ ТАБЛИЦУ
Обозначение
СРАВНИТЬ
Структура
ЗНАЧЕНИЯ
СКРЫТЬ
Uкэ max, B
СКРЫТЬ
Iк max, A
СКРЫТЬ
h21э
СКРЫТЬ
Uкэ нас, В
СКРЫТЬ
fгр, МГц
СКРЫТЬ
Тэкспл, ⁰С
СКРЫТЬ
Рmax, Вт
СКРЫТЬ
Корпус
ЗНАЧЕНИЯ
СКРЫТЬ
Монтаж
ЗНАЧЕНИЯ
СКРЫТЬ
Аналог
СКРЫТЬ
Компл. пара
СКРЫТЬ
Примечание
СКРЫТЬ
Статус
ЗНАЧЕНИЯ
СКРЫТЬ
2Т665А91
NPN
100
1
80
250
0.3
250
-60
125
3.6
4601.3-1
SMD
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т665Б9
NPN
80
1
40
250
0.3
200
-60
125
1
КТ-47 (SOT-89)
SMD
BCX56
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т665Б91
NPN
80
1
80
250
0.3
250
-60
125
3.6
4601.3-1
SMD
Планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т693АС
NPN
150
0.15
40
0.6
170
-60
125
0.75
401.14-5М
-
Транзисторная матрица из 4х n-p-n транзисторов
Сер/произв-во
2Т708А
PNP
100
2.5
500
2.5
3
-60
125
5
КТ-2 (TO-39)
THT
BS561
Меза-планарный составной p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т708Б
PNP
80
2.5
750
2.5
3
-60
125
5
КТ-2 (TO-39)
THT
BS561
Меза-планарный составной p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т708В
PNP
60
2.5
750
2.5
3
-60
125
5
КТ-2 (TO-39)
THT
BS561
Меза-планарный составной p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т709А
PNP
100
10
500
2
3
-60
125
30
КТ-8 (ТО-66)
THT
MJH11019
Меза-планарный составной p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т709А2
PNP
100
10
500
2
-60
125
30
КТ-28-2 (TO-220)
THT
Меза-планарный составной p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т709Б
PNP
80
10
750
2
3
-60
125
30
КТ-8 (ТО-66)
THT
MJH11019
Меза-планарный составной p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т709Б2
PNP
80
10
750
2
-60
125
30
КТ-28-2 (TO-220)
THT
Меза-планарный составной p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т709В
PNP
60
10
750
2
3
-60
125
30
КТ-8 (ТО-66)
THT
MJH11019
Меза-планарный составной p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т709В2
PNP
60
10
750
2
-60
125
30
КТ-28-2 (TO-220)
THT
Меза-планарный составной p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т716А1
NPN
100
10
500
2
-60
125
30
КТ-28-2 (TO-220)
THT
Меза-планарный составной n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т716Б1
NPN
80
10
750
2
-60
125
30
КТ-28-2 (TO-220)
THT
Меза-планарный составной n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т716В1
NPN
60
10
750
2
-60
125
30
КТ-28-2 (TO-220)
THT
Меза-планарный составной n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т716А
NPN
100
10
750
2
-60
125
30
КТ-8 (ТО-66)
THT
2SD472H
Меза-планарный составной n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т716Б
NPN
80
10
750
2
-60
125
30
КТ-8 (ТО-66)
THT
2SD472H
Меза-планарный составной n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т716В
NPN
60
10
750
2
-60
125
30
КТ-8 (ТО-66)
THT
2SD472H
Меза-планарный составной n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т745А
PNP
40
6
20
200
1.5
3
-60
125
40
КТ-28А-2.02 (TO-220)
THT
TIP42G
Эпитаксиально-планарный транзистор
Сер/произв-во
2Т745А1
PNP
40
6
20
200
1.5
3
-60
125
65
КТ-28-2 (TO-220)
THT
TIP42G
Эпитаксиально-планарный транзистор
Сер/произв-во
2Т746А9
PNP
100
3
10
100
1.18
3
-60
125
12.5
КТ-93-1 (SMD05)
SMD
MJD32C
2Т747А9
Эпитаксиально-планарный транзистор
Сер/произв-во
2Т746А91
PNP
100
3
10
100
1.18
3
-60
125
16.7
КТ-89 (TO-252)
SMD
MJD32C
2Т747А91
Эпитаксиально-планарный транзистор
Сер/произв-во
2Т747А9
NPN
100
3
20
180
1.18
3
-60
125
12.5
КТ-93-1 (SMD05)
SMD
MJD31C
2Т746А9
Эпитаксиально-планарный транзистор
Сер/произв-во
2Т747А91
NPN
100
3
20
180
1.18
3
-60
125
16.7
КТ-89 (TO-252)
SMD
MJD31C
2Т746А91
Эпитаксиально-планарный транзистор
Сер/произв-во
2Т818А
PNP
100
15
20
1
3
-60
125
100
КТ-9 (ТО-3)
THT
2N5880
Меза-планарный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т818А2
PNP
100
15
20
1
3
-60
125
40
КТ-28-2 (TO-220)
THT
Меза-планарный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т818Б
PNP
80
15
20
1
3
-60
125
100
КТ-9 (ТО-3)
THT
2N5880
Меза-планарный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т818Б2
PNP
80
15
20
1
3
-60
125
40
КТ-28-2 (TO-220)
THT
Меза-планарный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т818В
PNP
60
15
20
1
3
-60
125
100
КТ-9 (ТО-3)
THT
2N5880
Меза-планарный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т818В2
PNP
60
15
20
1
3
-60
125
40
КТ-28-2 (TO-220)
THT
Меза-планарный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т819А
NPN
100
15
20
1.5
3
-60
125
100
КТ-9 (ТО-3)
THT
2N5068
Меза-планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т819Б
NPN
80
15
20
1.5
3
-60
125
100
КТ-9 (ТО-3)
THT
2N5068
Меза-планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т819В
NPN
60
15
20
1.5
3
-60
125
100
КТ-9 (ТО-3)
THT
2N5068
Меза-планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т819А2
NPN
100
15
20
1
3
-60
125
40
КТ-28-2 (TO-220)
THT
Меза-планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т819Б2
NPN
80
15
20
1
3
-60
125
40
КТ-28-2 (TO-220)
THT
Меза-планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т819В2
NPN
60
15
20
1
3
-60
125
40
КТ-28-2 (TO-220)
THT
Меза-планарный n-p-n транзистор
Сер/произв-во
2Т825А
PNP
100
20
500
18000
2
-60
125
125
КТ-9 (ТО-3)
THT
2N6287
Меза-планарный составной p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т825Б
PNP
80
20
750
18000
2
-60
125
125
КТ-9 (ТО-3)
THT
2N6287
Меза-планарный составной p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т825В
PNP
60
20
750
18000
2
-60
125
125
КТ-9 (ТО-3)
THT
2N6287
Меза-планарный составной p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т825А2
PNP
100
15
500
18000
2
-60
125
30
КТ-28-2 (TO-220)
THT
Меза-планарный составной p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т825Б2
PNP
80
15
750
18000
2
-60
125
30
КТ-28-2 (TO-220)
THT
Меза-планарный составной p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т825В2
PNP
60
15
750
18000
2
-60
125
30
КТ-28-2 (TO-220)
THT
Меза-планарный составной p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т8308А9
NPN
80
1.0
63
250
0.5
100
-60
125
1
КТ-99-1 (4601)
SMD
BCX56
2Т8309А9
Эпитаксиально-планарный транзистор
Сер/произв-во
2Т8308А91
NPN
80
1.0
63
250
0.5
100
-60
125
1
КТ-47 (SOT-89)
SMD
BCX56
2Т8309А91
Эпитаксиально-планарный транзистор
Сер/произв-во
2Т8309А9
PNP
80
1.0
100
250
0.5
125
-60
125
1
КТ-99-1 (4601)
SMD
BCX53
2Т8308А9
Эпитаксиально-планарный транзистор
Сер/произв-во
2Т8309А91
PNP
80
1.0
100
250
0.5
125
-60
125
1
КТ-47 (SOT-89)
SMD
BCX53
2Т8308А91
Эпитаксиально-планарный транзистор
Сер/произв-во
2Т830А
PNP
30
2
25
0.6
4
-60
125
5
КТ-2 (TO-39)
THT
2N5781
2Т831
Планарный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т830Б
PNP
50
2
25
0.6
4
-60
125
5
КТ-2 (TO-39)
THT
2N5781
2Т831
Планарный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
2Т830В
PNP
70
2
25
0.6
4
-60
125
5
КТ-2 (TO-39)
THT
2N5781
2Т831
Планарный p-n-p транзистор
Сер/произв-во
50
542
Техподдержка и заказ образцов (ОТК): bc@kremny-m.ru