КТ819ГМ
Биполярные транзисторы
Характеристики
| Обозначение | КТ819ГМ |
| Структура | NPN |
| Корпус | КТ-9 (ТО-3) |
| Монтаж | THT |
| Примечание | n-p-n транзистор биполярный |
|
Состояние производства Статус |
Сер/произв-во |
| Наименование ТУ | аА0.336.189ТУ |
| Назначение | ОТК |
|
Диапазон температур эксплуатации
Тэкспл, ⁰С |
-45 |
|
Тэкспл max, ⁰С |
100 |
|
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
Рmax, Вт |
125 |
|
Условия_Pmax |
- |
|
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер Uкэ max, B |
100 |
|
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база Uэб max, B |
5 |
|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ нас, В |
4 |
|
при @Iк, А |
15 |
|
при @Iб, А |
3 |
|
Максимально допустимый постоянный ток коллектора Iк max, A |
15 |
|
Статический коэффициент передачи тока
h21э |
12 |
|
h21э max |
275 |