КТ850В
Биполярные транзисторы
Характеристики
| Обозначение | КТ850В |
| Структура | NPN |
| Корпус | КТ-28-2 (TO-220) |
| Монтаж | THT |
| Компл. пара | КТ851В |
| Примечание | n-p-n транзистор биполярный |
|
Состояние производства Статус |
Сер/произв-во |
| Наименование ТУ | аА0.336.510ТУ |
| Назначение | ОТК |
|
Диапазон температур эксплуатации
Тэкспл, ⁰С |
-60 |
|
Тэкспл max, ⁰С |
100 |
|
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
Рmax, Вт |
25 |
|
Условия_Pmax |
- |
|
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база Uкб max, B |
180 |
|
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер Uкэ max, B |
150 |
|
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база Uэб max, B |
5 |
|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ нас, В |
1 |
|
при @Iк, А |
0.5 |
|
при @Iб, А |
0.1 |
|
Максимально допустимый постоянный ток коллектора Iк max, A |
2 |
|
Статический коэффициент передачи тока
h21э |
20 |